看开云·kaiyun官方网站设计中SDRAM信号的辐射干扰

部分使用外置SDRAM的STM32应用客户反映，在EMC测试中，由于SDRAM信号，其产品的辐射干扰超标。 终端开云·kaiyun官方网站产品如果不能使用外壳屏蔽辐射干扰，往往需要通过修改SDRAM信号的开云·kaiyun官方网站设计来解决此类问题。

下面就SDRAM的开云·kaiyun官方网站应用设计中如何改善辐射干扰问题做一个概述，以供参考。

SDRAM设计中的辐射干扰对策

SDRAM 工作频率高，上升沿和下降沿都很陡。 因此在开云·kaiyun官方网站设计中需要将其信号走线处理为高速信号传输线。 总的来说，应注意以下基本原则：

1.保持SDRAM信号完整性

SDRAM信号的失真会进一步展宽信号的辐射频谱，导致更严重的辐射问题。 因此，外包开云·kaiyun官方网站设计时必须注意SDRAM信号的完整性设计。

建议使用四层或更多层板，将SDRAM信号的特性阻抗控制在50欧姆，尽量减少SDRAM总线上过孔的使用，保持阻抗连续性，减少阻抗不连续引起的信号反射；

SDRAM信号走线间距遵循3W原则，两个走线中心的间距尽量保持至少3倍线宽，这样可以减少信号间相互干扰造成的信号失真；

SDRAM尽量靠近MCU，缩短MCU到SDRAM的信号走线长度（一般不超过120mm）；

2.保持SDRAM信号返回路径最短

对于多层开云·kaiyun官方网站，高速信号的返回路径是其走线在参考平面上的投影。 在开云·kaiyun官方网站设计中，应注意保持其参考平面的完整性和连续性。 如果由于信号换层或电源层划分造成信号返回路径被切断，则必须通过增加换层电容/换层地过孔和电源层跨接电容来保证SDRAM信号的最短返回路径。

3.将SDRAM信号（尤其是时钟信号）放在开云·kaiyun官方网站的内层

在SDRAM信号中，时钟信号的辐射水平最强，可以通过将其置于开云·kaiyun官方网站内层并用外层铜箔屏蔽来降低。

STM32的FMC接口设计为同时附有SDRAM和FLASH。 由于SDRAM和FLASH共用部分MCU管脚，其复杂的走线拓扑进一步增强了SDRAM信号的辐射干扰。 建议SDRAM和FLASH走线尽量走线在开云·kaiyun官方网站内层，这些信号同时在开云·kaiyun官方网站外层屏蔽。

4.使 SDRAM 布线区域尽可能远离其他信号/电缆

其他较长的走线或电缆可作为天线将耦合后的SDRAM辐射信号发出，因此应布置在开云·kaiyun官方网站中远离SDRAM信号的区域。 必要时，可以在这些走线或电缆的连接端放置磁珠或滤波器，以衰减SDRAM的辐射信号。